Fachvorträge von Heraeus Electronics
In Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer IMWS und der Schaeffler Gruppe präsentieren Forscher von Heraeus Electronics Ergebnisse zu druckgesinterten SiC-MOSFET-Chips mit Silber- und Kupferpaste. Die im Rahmen des deutschen Förderprojekts KuSIn entstandene Studie zeigt, dass gesinterte Schichten auch nach thermischen und elektrischen Belastungszyklen ihre mikrostrukturelle Stabilität bewahren – ein wichtiger Beitrag für die Entwicklung zuverlässiger Hochleistungsmodule.
Mittwoch, 11. März – Module Packaging, Kühlung und Fehleranalyse II (11:40 Uhr)
Sinterbedingte Brüche in WBG-Chips aufgrund der Wahl des Substrats
Der Vortrag beleuchtet die Zuverlässigkeit von GaN- und SiC-Chips - nach dem Sintern und zeigt, welchen Einfluss die Substratwahl auf Rissbildung und mechanische Spannungen im Halbleiter hat. Die Ergebnisse unterstützen die Entwicklung beschleunigter Zuverlässigkeitsprüfverfahren für Wide-Bandgap-Halbleiter für anspruchsvolle Leistungselektronik. Die Untersuchungen wurden im Rahmen des EU-Projekts ALL2GaN durchgeführt.
Mittwoch, 11. März – Zuverlässigkeit von Substraten und Verbindungen (13:50 Uhr)
Vorhersage der elektrischen Lebensdauer verschiedener Si₃N₄-Keramiksubstrate für Leistungsmodule
Heraeus Electronics stellt eine Vergleichsstudie zu Siliziumnitrid-Substraten vor. Im Fokus stehen AC-Testmethoden, das Verhalten von Teilentladungen sowie spannungsabhängige Lebensdauerprognosen. Die Ergebnisse bieten praktische Orientierungshilfe für die Auswahl und Qualifizierung von Substratmaterialien in anspruchsvollen Anwendungen der Leistungselektronik.
Heraeus Electronics vor Ort
Neben den Fachvorträgen ist Heraeus Electronics auch mit einem Tabletop im Ausstellungsbereich vertreten. Besucher haben dort die Möglichkeit, direkt mit Experten ins Gespräch zu kommen und sich über Lösungen für das Module Packaging zu informieren – darunter Sinter- und Bondmaterialien sowie Substrattechnologien.
